| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 23000pF @ 10V |
| 功率 - 最大值： | 1130W |
| 安装类型： | * |
| 包装： | 散装 |
| 系列： | - |
| FET 类型： | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能： | 碳化硅 （SiC） |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： | 180A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）： | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 35.2mA |
| 制造商： | Rohm Semiconductor |
| 供应商器件封装： | 模块 |
