| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | 180nC @ 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 2.810nF @ 800V |
| 功率 - 最大值： | 337W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 包装： | 散装 |
| FET 类型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 功能： | 碳化硅 （SiC） |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： | 87A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）： | 34 毫欧 @ 50A， 20V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： | 2.3V @ 2.5mA |
| 制造商： | Cree Inc |
| 供应商器件封装： | 模块 |
