| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)： | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)： | 47k |
| 电流 - 集电极截止（最大值）： | 100nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁： | 250MHz |
| 功率 - 最大值： | 100mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 系列： | - |
| 晶体管类型： | 2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）： | 50V |
| 制造商： | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 供应商器件封装： | ESV |
