| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | 560nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 14560pF @ 25V |
| 功率 - 最大值： | 657W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 包装： | 散装 |
| FET 类型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能： | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： | 31A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）： | 360 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： | 5V @ 2.5mA |
| 制造商： | Microsemi Power Products Group |
| 供应商器件封装： | SP1 |
