| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)： | 22k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)： | 22k |
| 电流 - 集电极截止（最大值）： | 100nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁： | 250MHz |
| 功率 - 最大值： | 100mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 系列： | - |
| 晶体管类型： | 2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）： | 50V |
| 制造商： | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 供应商器件封装： | ESV |
广东发展银行：
开户名：深圳市新思汇科技有限公司
账 号：1020 1651 601000 1651
开户行：广东发展银行深圳金谷支行
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